Caratteristiche: Transistore ad effetto campo sensibile agli Ioni (ISFET), ISFET in silicio a canale n, Layer sensibile al nitrudo di silicio, Dimensioni ridotte (L=13 mm, W=7.6 mm), Elevata sensitività = 55 mV/pH, Velocità di risposta = 1-2 s, Tecnologia planare

Applicazioni: Misure di pH — Monitoraggio ambientale — Monitoraggio industriale — Analisi biomediche — Farmaceutica